半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-066289
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283385
出願日： 1994年04月04日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】例えば増幅型固体撮像素子等の半導体装置において、その微細構造における第1の導電層(例えば画素電極)と配線層となる第2の導電層との接続を可能にする。【構成】第1の導電層46の上面に異種膜55を形成し、第2の導電層53を第1の導電層46の側面46aで電気的に接続して構成する。

請求項（抜粋）：