特許
J-GLOBAL ID：200903023103765027
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-240418
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068321
出願日： 1998年08月26日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子と回路基板との電気的接続が、確実かつ高い安定性である高品質の半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体素子1上に突起電極3を形成し、突起電極3先端に導電性接着剤6を塗布する。一方、予め、回路基板4上に電極端子5および薄膜10を形成し、薄膜10上に第1の絶縁樹脂8を塗布する。次に、フェースダウンにより、突起電極1を回路基板4上に配置することによって、導電性接着剤6を介して突起電極3と電極端子5とを接触させ、かつ第1の絶縁樹脂8を薄膜10と半導体素子1との間に押し広げる。そして、これを加熱加圧ヘッドにより加熱加圧処理し、導電性接着剤6と第1の絶縁樹脂8とを硬化させた後、半導体素子1と回路基板4との隙間部に第2の絶縁樹脂9を充填し、熱処理によって硬化させることにより、半導体装置が製造できる。
請求項（抜粋）：
導電性材料からなる突起電極を有する半導体素子が、電極端子を有する回路基板上に配置され、前記突起電極と前記電極端子とが導電性接着剤を介して電気的に接続した半導体装置であって、前記半導体素子と前記回路基板との隙間部の少なくとも一か所に第1の絶縁樹脂が介在し、前記第1の絶縁樹脂が介在しない前記隙間部に第2の絶縁樹脂が充填されていることを特徴とする半導体装置。
Fターム (5件)：
4M105AA02
, 4M105BB07
, 4M105BB11
, 4M105FF01
, 4M105GG18
