特許
J-GLOBAL ID：200903023105021009
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-326340
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177395
出願日： 1992年12月07日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：
【要約】【目的】 動作の高速化を図ることが可能な半導体装置の提供を目的とする。【構成】 基板1上にフローティングゲート5、層間絶縁層15、制御ゲート4及び選択ゲート3を形成後、それらを覆う第一層間膜(BPSG)40を形成、リフローして平坦化させる。第一層間膜40を異方性エッチングによりエッチバックする。さらに、選択ゲート3として用いられているサイドォールに電気的接し、フローティングゲート5、層間絶縁層15及び制御ゲート4を覆うような選択線50を形成する。選択線50が選択ゲート3に電気的に接続することで選択ゲート3の電気抵抗が低下し、半導体装置動作の高速化を図ることが可能となる。また、情報の書込にFNトンネリングを用いているので、低消費電力でも確実な書込を行なうことが可能となる。
請求項（抜粋）：
第一領域及び第二領域が形成された基板、第一領域及び第二領域間の基板上に形成された絶縁第一層、絶縁第一層上に形成された導電第一層、導電第一層上に形成された絶縁第二層、絶縁第二層上に形成された導電第二層、導電第二層の側面に形成された側導電層、を有する半導体セルを備えた半導体装置において、隣接する半導体セルの側導電層を電気的に接続する接続導電層、を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, G11C 16/02
, G11C 16/04
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, G11C 17/00 307 D
, H01L 27/10 434
