特許
J-GLOBAL ID：200903023105150224

配線パターンの形成方法、回路基板の製造方法および遮光パターンの形成された透光体の製造方法

発明者：
小口 壽彦

小口 壽彦 について

, 
菅波 敬喜

菅波 敬喜 について


出願人/特許権者：
森村ケミカル株式会社

森村ケミカル株式会社 について


代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-326114
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134878
出願日： 2000年10月25日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：
【要約】【課題】 基板等の上に直接ファインパターンを形成できる配線パターンの形成方法、回路基板の製造方法および遮光パターンの形成された透光体の製造方法を提供すること。【解決手段】 基体上に、インクジェット装置を用いて、平均粒子径が100nm以下の金属微粒子を水または有機溶剤中に分散させた金属微粒子インクにより、回路パターンを描画し、次いで該基板を熱もしくは光線により処理して前記回路パターンに含まれる重合体または界面活性剤を分解揮散させて所望の膜厚の導体パターンとする。インクジェット装置を用いて直接パターンを描画するので設備費や生産コストを安価にすることができる。
請求項（抜粋）：
基体上に、インクジェット装置を用いて、平均粒子径が100nm以下の金属微粒子を水または有機溶剤中に分散させた金属微粒子インクにより、回路パターンを描画し、次いで該基板を熱もしくは光線により処理して前記回路パターンに含まれる重合体または界面活性剤を分解揮散させて所望の膜厚の導体パターンとすることを特徴とする配線パターンの形成方法。
IPC (4件)：
H05K 3/10 ,  B41J 2/01 ,  G03F 7/20 501 ,  H05K 3/24
FI (5件)：
H05K 3/10 D ,  G03F 7/20 501 ,  H05K 3/24 C ,  B41J 3/04 101 Y ,  B41J 3/04 101 Z
Fターム (24件)：
2C056FB05 ,  2C056FC01 ,  2H097LA09 ,  5E343AA07 ,  5E343AA18 ,  5E343AA34 ,  5E343BB22 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343BB38 ,  5E343BB39 ,  5E343BB40 ,  5E343BB43 ,  5E343BB44 ,  5E343BB48 ,  5E343BB49 ,  5E343BB72 ,  5E343BB80 ,  5E343DD14 ,  5E343DD33 ,  5E343EE42 ,  5E343ER33 ,  5E343GG08
引用特許：
審査官引用 (7件)
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