特許
J-GLOBAL ID:200903023105458911

半導体リードフレーム用銅合金

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-258620
公開番号(公開出願番号):特開2000-087158
出願日: 1998年09月11日
公開日(公表日): 2000年03月28日
要約:
【要約】【課題】 強度、導電性、曲げ加工性、打抜加工性、耐応力腐食割れ性、製造加工性などに優れた半導体リードフレーム用銅合金を提供することを目的とする。【解決手段】 Znを5〜35wt%、Snを0.1〜3wt%、Pを0.005〜0.5%、Si、Cr、Ti、Zr、Co、Mn、AlおよびMgよりなる群より選ばれた1種又は2種以上を総計で0.01〜1wt%含み、残部Cuと不可避的な不純物からなる銅合金であって、結晶粒度が5〜35μmであることを特徴とする。
請求項(抜粋):
Znを5〜35wt%、Snを0.1〜3wt%、Pを0.005〜0.5%、Si、Cr、Ti、Zr、Co、Mn、AlおよびMgよりなる群より選ばれた1種又は2種以上を総計で0.01〜1wt%含み、残部Cuと不可避的な不純物からなる銅合金であって、結晶粒度が5〜35μmであることを特徴とする半導体リードフレーム用銅合金。
IPC (2件):
C22C 9/04 ,  H01L 23/48
FI (2件):
C22C 9/04 ,  H01L 23/48 V

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