特許

J-GLOBAL ID：200903023112416876

アクティブマトリクス基板およびその製造方法

発明者： 山舗 公一 ,  松下 和彦
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-115065
公開番号（公開出願番号）：特開平6-324352
出願日： 1993年05月17日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】 ピンホールの無い良好な保護絶縁膜を絵素電極上にも形成し得、液晶分子の局部的な配向不良による表示不良を防ぐことができるアクティブマトリクス基板を得る。【構成】 最上層に形成された保護絶縁膜13が、LPD法により形成されたSiO2膜からなる。この保護絶縁膜13は、基板の凹凸を埋め込んで、表面が平坦化されている。

請求項（抜粋）：

マトリクス状に配設された絵素電極と、該絵素電極の近傍を通って相互に交差して設けられた走査線および信号線と、該絵素電極、走査線および信号線にそれぞれ電気的に接続された薄膜トランジスタとを有し、該薄膜トランジスタのドレイン電極と該絵素電極とが一部重なっているアクティブマトリクス基板において、該絵素電極の一部と該薄膜トランジスタとを覆って、液相成長法により、SiO2からなる保護絶縁膜が形成されているアクティブマトリクス基板。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1333 505 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 29/78 311 A ,  H01L 29/78 311 N