特許

J-GLOBAL ID：200903023118163783

イオン交換膜及びその製造方法

発明者： 有村 智朗
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-011705
公開番号（公開出願番号）：特開2000-212305
出願日： 1999年01月20日
公開日（公表日）： 2000年08月02日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 大きいイオン導電性を安定して示す新規な配向型イオン交換膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】 次の構造式(1)(式中、R1は水素、脂肪族誘導体基又は芳香族環誘導体基、Mは1〜4価の金属、R2は脂肪族誘導体基、芳香族環誘導体基又は存在しない場合も許容でき、R3〜R5は脂肪族誘導体基又は芳香族環誘導体基、R6は芳香族環誘導体基、R7は脂肪族誘導体基、芳香族環誘導体基又は存在しない場合も許容でき、R8は水素又は脂肪族誘導体基、R9は酸性部位を有する脂肪族誘導体基または芳香族環誘導体基、R10は架橋基を3個有している脂肪族環基又は芳香族環基、p=1〜350、q=1〜500、x=1〜600、y=1〜300、m=1〜200及びn=10〜10000を示す)で表される含金属モノマーIと芳香族誘導体モノマーIIとカルボン酸誘導体モノマーIII と強酸基含有モノマーIVとから成る化学結合主鎖が架橋されたイオン交換樹脂から成る。

請求項（抜粋）：

次の構造式(1)【化1】(式中、R1は水素、脂肪族誘導体基又は芳香族環誘導体基、Mは1〜4価の金属、R2は脂肪族誘導体基、芳香族環誘導体基又は存在しない場合も許容でき、R3〜R5は脂肪族誘導体基又は芳香族環誘導体基、R6は芳香族環誘導体基、R7は脂肪族誘導体基、芳香族環誘導体基又は存在しない場合も許容でき、R8は水素又は脂肪族誘導体基、R9は酸性部位を有する脂肪族誘導体基又は芳香族環誘導体基、R10は架橋基を3個有している脂肪族環基又は芳香族環基、p=1〜350、q=1〜500、x=1〜600、y=1〜300、m=1〜200及びn=10〜10000を示す)で表される含金属モノマーIと芳香族誘導体モノマーIIとカルボン酸誘導体モノマーIII と強酸基含有モノマーIVとから成る化学結合主鎖が架橋されたイオン交換樹脂から成ることを特徴とするイオン交換膜。

IPC (3件)：

C08J 5/22 CER ,  G01N 27/333 ,  H01M 8/02

FI (3件)：

C08J 5/22 CER ,  H01M 8/02 P ,  G01N 27/30 331 A

Fターム (20件)：

4F071AA22X ,  4F071AA32X ,  4F071AA35X ,  4F071AA39X ,  4F071AA67X ,  4F071AH02 ,  4F071FA01 ,  4F071FA05 ,  4F071FB02 ,  4F071FC01 ,  4F071FD02 ,  5H026AA06 ,  5H026BB00 ,  5H026BB03 ,  5H026BB04 ,  5H026BB08 ,  5H026BB10 ,  5H026CX05 ,  5H026HH05 ,  5H026HH08