特許

J-GLOBAL ID：200903023129374115

半導体素子

発明者： 山本 哲浩
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-097342
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284394
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子の検査用電極におけるプローブピンの圧接によるプローブ跡では、アルミニウムの組織が破壊されているために、突起電極と検査用電極との界面における合金形成が十分に促進されず、半導体素子と対向する基板との安定した電気的接続が達成できないという問題があった。【解決手段】 突起電極が形成される素子電極と、プローブピンの圧接により検査を行うための素子電極の位置を区分することにより、プローブ跡のある部分への電極形成が不要になり、新規な素子電極への電極形成を行うことで、突起電極と検査用電極との界面における合金形成が十分に促進する。

請求項（抜粋）：

突起電極が形成される第1の素子電極と、前記第1の素子電極と同一の保護素子に電気的に接続される第2の素子電極とを有し、前記第1の素子電極と前記第2の素子電極とは、前記同一の保護素子によってアクティブ領域に接続される半導体素子であって、前記第1の素子電極と前記第2の素子電極とが保護膜により区分されることを特徴とする半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/60 301 N ,  H01L 21/88 S ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/92 602 J

Fターム (9件)：

5F033HH08 ,  5F033UU03 ,  5F033VV07 ,  5F033VV12 ,  5F033XX09 ,  5F033XX13 ,  5F033XX37 ,  5F044AA14 ,  5F044EE07

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-238064
  
• 特開平3-183139