特許

J-GLOBAL ID：200903023138981598

半導体装置

発明者： 米田 豊 ,  森 孝二
出願人/特許権者： 株式会社リコー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-375368
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189324
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、寄生容量が小さくて、高周波特性に優れている半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 HEMT基板15におけるn-AlGaAs電子供給層13上のn+ -GaAsコンタクト層14が選択的に除去され、リセス溝23が形成されている。また、n+ -GaAsコンタクト層14上には、比誘電率2.4程度のポリパラキシリレン膜16が形成されていると共に、リセス溝23上方に開口部18bが形成されている。そして、リセス溝23内において開口部18bを介してn-AlGaAs電子供給層13にショットキー接続するT型構造のTi/Pt/Auゲート電極24aが形成されている。即ち、リセスゲート構造のHEMTにおいて、T型構造のTi/Pt/Auゲート電極24a近傍の絶縁膜として、比誘電率2.4程度のポリパラキシリレン膜16が用いられている。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜に開口された開口部を介して、前記半導体基板上に形成されたゲート電極と、を有する半導体装置であって、前記絶縁膜の比誘電率が、1乃至3.5であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/312

FI (2件)：

H01L 21/312 A ,  H01L 29/80 F

Fターム (31件)：

5F058AB02 ,  5F058AC02 ,  5F058AC10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH01 ,  5F058BB02 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BC11 ,  5F058BF07 ,  5F058BJ01 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GL05 ,  5F102GM06 ,  5F102GN05 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS00 ,  5F102GS02 ,  5F102GS04 ,  5F102GV05 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC16