特許
J-GLOBAL ID：200903023141101000
不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-357676
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196709
出願日： 1992年12月24日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 簡易にして、データの書き込み速度を高速化し不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。【構成】 半導体基板1に形成されたソース領域2及びドレイン領域3と、両領域に挟まれたチャネル領域上に順次積層形成された第1のゲート絶縁膜4、第1のゲート電極5、第2のゲート絶縁膜6、第2のゲート電極7とを有し、ソース領域2とドレイン領域3との間隔が第1及び第2のゲート電極5、7のゲート幅方向に沿って異なるように構成されてなる。
請求項（抜粋）：
半導体基板に離間して設けられたソース領域及びドレイン領域と、前記両領域に挟まれたチャネル領域上に第1の絶縁膜を介して形成された第1のゲート電極と、前記第1のゲート電極上に第2の絶縁膜を介して形成された第2のゲート電極とを有し、前記ソース領域とドレイン領域との間隔が、前記第1及び第2のゲート電極のゲート幅方向に沿って異なることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
