特許
J-GLOBAL ID：200903023141505527
半導体集積回路装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-286759
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135153
出願日： 1996年10月29日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【課題】 銅配線を用いた半導体集積回路装置において、活性領域への銅の拡散を防止して半導体集積回路装置の性能を向上する。【解決手段】 半導体基板1の主面に形成されたn形MISFETQnの活性領域5を、半導体基板1の主面近傍に形成されたSOI絶縁層2、半導体基板1の主面からSOI絶縁層2に達するU溝素子分離領域3、ならびに半導体基板1の主面上に形成された層間絶縁膜11および金属プラグ13により密閉して覆い、銅等の不純物金属が活性領域に侵入することを防止する。
請求項（抜粋）：
その主面に半導体集積回路素子が形成された半導体基板上に層間絶縁膜を介して銅、銀もしくは金またはそれらの合金を主導電層とする配線を有する半導体集積回路装置であって、前記半導体基板の主面に形成された前記半導体集積回路素子を構成する活性領域は、前記配線を組成する金属材料の侵入を防止する機能を有するブロッキング材料により密閉して覆われていることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/762
, H01L 21/3205
H01L 21/28 301 Z
, H01L 21/76 D
, H01L 21/88 M
