特許
J-GLOBAL ID：200903023144038580
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-380645
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184796
出願日： 2000年12月14日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：
【要約】【課題】 高信頼性及び高放熱性を有し、半導体チップを高密度実装できる薄型の半導体装置を簡単に製造できるようにする。【解決手段】 第1の内層配線101が形成されたコア基板100の上面に第1の半導体チップ102を、その回路形成面がコア基板100の上面と対向すると共に該回路形成面に形成された電極が第1の内層配線101と接続するように搭載する。その後、コア基板100の上面に第1の半導体チップ102を覆うように第2の樹脂層106を形成した後、第2の樹脂層106及び第1の半導体チップ102を該第1の半導体チップ102の回路形成面の反対側から研削して第1の半導体チップ102を薄くする。
請求項（抜粋）：
第1の面に配線を有する基板の前記第1の面に半導体チップを、その回路形成面が前記基板の前記第1の面と対向すると共に該回路形成面に設けられた電極が前記配線と接続するように搭載する第1の工程と、前記基板の前記第1の面に前記半導体チップを覆うように封止用樹脂層を形成する第2の工程と、前記封止用樹脂層及び前記半導体チップを前記回路形成面の反対側から研削して前記半導体チップを薄くする第3の工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/56
, H01L 23/12
, H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
H01L 21/56 R
, H01L 23/12 N
, H01L 25/08 Z
5F061AA02
, 5F061BA03
, 5F061CA22
, 5F061CB13
