特許
J-GLOBAL ID：200903023170059633
放熱基板及び半導体用セラミックパッケージ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-312967
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169881
出願日： 1993年12月14日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：
【要約】【目的】 所望する熱膨張係数,熱伝導率を有するとともに,密度が小さく軽量化の図れる放熱基板とそれを用いたセラミックパッケージとを提供すること。【構成】 放熱基板17は,表裏をなす二面を有する炭素質の基材と,前記基材の少なくとも一部を覆う高融点金属層からなる合わせ材とを備えた複合材料であって,前記高融点金属層はW,Mo又はこれらのうちの少なくとも一種を含む合金のうちのいずれかである。半導体用セラミックパッケージ10は,この放熱基板17を備えている。この放熱基板17は,炭素質の基材の少なくとも一部に,化学気相蒸着法により高融点金属からなる合わせ材を形成することにより製造される。
請求項（抜粋）：
表裏をなす二面を有する炭素質の基材と,前記基材の少なくとも一面を覆う高融点金属層からなる合わせ材とを備えた複合材料であって,前記高融点金属層はW,Mo及びこれらのうちの少なくとも一種を含む合金のうちのいずれかであることを特徴とする放熱基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/14 M
, H01L 23/12 J
