特許

J-GLOBAL ID：200903023174736745

化合物半導体の微細構造形成方法

発明者： 若林 信一 ,  東郷 仁麿 ,  井戸田 健 ,  豊田 幸雄
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-088534
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291237
出願日： 1992年04月09日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】 制御性、均一性、低損傷、加工性にすぐれたAlxGa1ーxAs/GaAs系の微細構造の形成方法を提供する。【構成】 GaAs基板11上にGaAsバッファ層12、Al0.3Ga0.7As障壁層13、GaAs量子井戸層14、Al0.3Ga0.7As障壁層15、Ga0.5In0.5Pスペーサ層16を連続的に結晶成長させる。次にシリコン酸化膜17を堆積し、レジストパターン18を形成し、シリコン酸化膜17をエッチングする。Ga0.5In0.5Pスペーサ層16をエッチングし、シリコン酸化膜のパターンを転写する。この時、Al0.3Ga0.7As障壁層15は塩酸系のエッチャントに対してはエッチングされない。ドライエッチングによりシリコン酸化膜及びGa0.5In0.5Pスペーサ層をエッチングマスクとして、Al0.3Ga0.7As障壁層、GaAs井戸層、Al0.3Ga0.7As障壁層を順次エッチングする。この時、シリコン酸化膜はドライエッチング時のエッチング速度が小さくマスクとして十分作用する。

請求項（抜粋）：

AlxGa1ーxAs(0≦x≦1)もしくはGaAs系の量子井戸構造を有する化合物半導体にGaxIn1ーxP(0≦x≦1)からなるスペーサ層を連続的に結晶成長する工程と、エッチングマスクを介し塩酸系のエッチャントを用いて前記GaxIn1ーxP(0≦x≦1)スペーサ層をエッチングする工程と、ドライエッチングを用いて前記AlxGa1ーxAs(0≦x≦1)もしくはGaAs系の量子井戸構造を有する化合物半導体をエッチングする工程と、それに引き続き塩酸系のエッチャントを用いて前記GaxIn1ーxP(0≦x≦1)スペーサ層を全面除去する工程とを備えたことを特徴とする化合物半導体の微細構造形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/302 ,  H01L 27/12 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-175158
  
• 特開平3-051516
  
• 特開平1-182592