特許

J-GLOBAL ID：200903023175909465

半導体装置

発明者： 土井 規弘 ,  宍戸 徳彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-041800
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243368
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】 埋込領域の濃度プロファイルを改善することにより、コレクタ抵抗を低減する点。【構成】 半導体基板表面を被覆する絶縁物層に窓を設け、ここから不純物層を二重拡散後、エピタキシャル法により半導体層を設けることにより、半導体層に拡散する不純物量を変えることなしに半導体基板への拡散量を増して、半導体層に形成する能動素子または受動素子のコレクタ抵抗を低下する。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と,この半導体基板に隣接して形成する第2導電型の半導体層と,この半導体層と半導体基板との境界付近に設置し、第2導電型で互いに濃度の異なる第1及び第2の層から成る埋込領域と,前記半導体層を区分する素子分離領域と,この素子分離領域内の半導体層に形成する能動素子とを具備することを特徴とする半導体装置

IPC (4件)：

H01L 21/74 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/78 301 R