特許

J-GLOBAL ID：200903023177002130

半導体装置及びその製造方法

発明者： 川崎 健 ,  中田 健 ,  八重樫 誠司
出願人/特許権者： ユーディナデバイス株式会社
代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-101822
公開番号（公開出願番号）：特開2006-286740
出願日： 2005年03月31日
公開日（公表日）： 2006年10月19日
要約：

【課題】 高出力動作可能であり高周波数動作可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 基板(10)と、基板上に形成されたGaN系半導体層(16)と、GaN系半導体層上に埋め込まれ形成されたゲート電極(18)と、ゲート電極の両側に形成されたソース電極(20)およびドレイン電極(22)と、ゲート電極とソース電極の間に形成された第1のリセス部(34)と、ゲート電極とドレイン電極の間に形成された第2のリセス部(38)と、を具備し、第1のリセス部の深さが、第2のリセス部の深さより浅いことを特徴とする半導体装置およびその製造方法である。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

基板と、 該基板上に形成されたGaN系半導体層と、 該GaN系半導体層上に埋め込まれ形成されたゲート電極と、 該ゲート電極の両側に形成されたソース電極およびドレイン電極と、 前記ゲート電極と前記ソース電極の間に形成された第1のリセス部と、 前記ゲート電極と前記ドレイン電極の間に形成された第2のリセス部と、を具備し、 前記第1のリセス部の深さが、前記第2のリセス部の深さより浅いことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (19件)：

5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR03 ,  5F102GR04 ,  5F102GR12 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102HC16 ,  5F102HC19

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-196751   出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-196751   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭63-187665