特許
J-GLOBAL ID:200903023182472218
酸化物単結晶の製造方法および製造装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
岡田 全啓
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-253946
公開番号(公開出願番号):特開2002-068884
出願日: 2000年08月24日
公開日(公表日): 2002年03月08日
要約:
【要約】【課題】 作業者がいなくても、確実に固液界面のフラット化作業を行うことができる酸化物単結晶の製造方法と、その製造装置を得る。【解決手段】 酸化物単結晶の製造装置10は、炉材14に囲まれた坩堝12を含み、坩堝12内に高周波コイル16で溶融した材料融液を入れる。引き上げ装置18で育成結晶を回転させながら引き上げる。遮蔽板20の観測用窓22から、放射温度計24で育成結晶と融液との界面近傍の融液の表面温度を測定する。育成結晶の回転数を変化させながら温度を測定し、回転数毎に測定された温度を演算装置26でフーリエ変換し、温度変化を周波数成分ごとに分解する。結晶回転数より小さい周波数成分スペクトルが観測されたとき、その結晶回転数を結晶引き上げときの回転数として決定する。
請求項(抜粋):
チョクラルスキー法による酸化物単結晶の製造方法であって、前記酸化物単結晶の直胴部育成中に前記酸化物単結晶の回転数を変化させながら前記酸化物単結晶と材料融液との界面近傍の材料融液の表面温度を測定する工程、測定した温度の時間的変化のフーリエ変換を行って温度のスペクトルを得る工程、前記温度のスペクトルに前記酸化物単結晶の回転数より小さい周期成分が現れたときの前記酸化物単結晶の回転数で前記直胴部の育成を行う、酸化物単結晶の製造方法。
IPC (5件):
C30B 15/22
, C30B 15/30
, C30B 29/34
, H01L 41/24
, H01S 3/16
FI (5件):
C30B 15/22
, C30B 15/30
, C30B 29/34 Z
, H01S 3/16
, H01L 41/22 A
Fターム (13件):
4G077AA02
, 4G077BC23
, 4G077CF10
, 4G077EG14
, 4G077EH07
, 4G077EH08
, 4G077HA02
, 4G077HA11
, 4G077PF04
, 4G077PF09
, 4G077PF53
, 4G077PG01
, 5F072AB20
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