特許

J-GLOBAL ID：200903023185500646

レジストパターン形成方法

発明者： 谷川 真 ,  田渕 宏樹 ,  森脇 浩之 ,  谷口 敬之
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-256238
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112119
出願日： 1992年09月25日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】 安定して、微細なレジストパターンを形成する。【構成】 半導体基板上の位相シフト効果により、微細なレジストパターンを形成する方法において、シリコン基板1上に、ポジ型下層レジスト層2、ポリビニールアルコール中間層3、ネガ型上層レジスト層4を積層する工程と、所定のマスク5により、露光後、有機溶剤により現像して、位相シフターパターン6を形成する工程と、全面露光を行い、純水超音波洗浄により中間層3と位相シフターパターン6を除去後、現像し、上記位相シフターパターン6のエッジEの下部領域Lに、微細なレジストパターン8を形成する工程による。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けたレジスト層の上部に、中間層、及び、位相シフター層を積層し、所定のマスクにより、露光、現像を行い、光の位相を反転する位相シフターパターンを形成し、該位相シフターパターンを含む半導体基板の表面を全面露光し、該位相シフターパターンのエッジ下部の位置にレジストパターンを形成する方法において、上記位相シフターパターンを、有機溶剤を用いて現像し、形成すること、及び、上記中間層が、有機溶剤に対して耐溶解性を有する材料であることを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/26 511

FI (2件)：

H01L 21/30 361 S ,  H01L 21/30 311 W