特許

J-GLOBAL ID：200903023187285700

液晶表示装置の製造方法

発明者： 中谷 紀夫
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-104644
公開番号（公開出願番号）：特開平5-297410
出願日： 1992年04月23日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】 大画面の液晶表示装置を特性を損う事なく低コストで達成することを目的とする。【構成】 ソーダーガラス基板(1)の上にAlより成るゲート(52)およびゲートライン(53)を形成し、コンタクトホール(64)部にレジスト(70)を設けてから、陽極酸化および液相成長を行う。この後SiNx膜(58),a-Si(59)およびN+型のa-Si(60)を形成する。

請求項（抜粋）：

イオンが混入された低融点のガラス基板を用意する工程と、このガラス基板に金属を被着してゲートおよびこれと一体でゲート端子近傍まで延在されたゲートラインを形成する工程と、このゲート端子近傍に対応するゲートライン上に疎水性の材料よりなるマスクを設ける工程と、このゲート、これと一体のゲートラインおよびこのマスクを含むガラス基板全面に液層成長によりシリコン酸化膜を形成する工程と、前記マスクを除去して前記ゲートラインが露出されたホールを形成する工程と、このホールに、前記ゲートを一構成とするTFTのソース電極と同一材料の金属をこのホールに設け、このゲート端子と前記ゲートラインを接続することを特徴とした液晶表示装置の製造方法。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 29/78 311 A ,  H01L 29/78 311 G