特許
J-GLOBAL ID：200903023187943081
金属ケイ化物の形成後の金属または金属合金の選択的な除去のための組成物および方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
稲葉 良幸
, 大賀 眞司
, 大貫 敏史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-516987
公開番号（公開出願番号）：特表2008-547202
出願日： 2006年06月13日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：
相補型金属酸化物半導体(CMOS)トランジスタの製造の間、急速な熱アニールによって金属ケイ化物の形成後、ニッケル、コバルト、チタン、タングステン、およびそれらの合金などの金属を除去するために有用な水性金属エッチング組成物。また、水性金属エッチング組成物は、ウエハ再加工のために金属ケイ化物および/または金属窒化物を選択的に除去するために有用である。1つの調合において、水性金属エッチング組成物は、シュウ酸と、塩化物含有化合物とを含有し、他の調合において、組成物は、過酸化水素などの酸化剤と、フッ化物供給源、例えば、フルオロホウ酸とを含有する。別の特定の調合において組成物は、誘電体および基板を攻撃せずにニッケル、コバルト、チタン、タングステン、金属合金、金属ケイ化物および金属窒化物を有効にエッチングするためにフルオロホウ酸およびホウ酸を含有する。
請求項（抜粋）：
a)組成物の全重量の約1%〜約20%の範囲の濃度の1種以上の有機酸と、
b)組成物の全重量の約0.05%〜約15%の範囲の濃度の1種以上の塩化物含有化合物と、
c)任意に、組成物の全重量の約0%〜約50%の範囲の濃度の1種以上の酸化剤と、
d)任意に、組成物の全重量の約0%〜約10%の範囲の濃度の1種以上のフッ化物含有化合物と、
e)任意に、組成物の全重量の約0%〜約10%の範囲の濃度の1種以上の誘電体不動態化剤とを含み、
前記材料を表面に有するマイクロ電子デバイスから未反応金属または金属合金を除去するために適している、水性金属エッチング組成物。
IPC (3件)：
H01L 21/308
, C23F 1/26
, C23F 1/28
H01L21/308 F
, C23F1/26
, C23F1/28
4K057WB01
, 4K057WB03
, 4K057WB08
, 4K057WB20
, 4K057WE01
, 4K057WE07
, 4K057WE08
, 4K057WE11
, 4K057WE12
, 4K057WE13
, 4K057WE14
, 4K057WE15
, 4K057WE25
, 4K057WE30
, 4K057WG02
, 4K057WG03
, 4K057WG06
, 4K057WN01
, 5F043AA21
, 5F043BB14
