半導体レーザ、半導体レーザの製造方法および半導体レーザの実装方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-364491
公開番号（公開出願番号）：特開2002-171021
出願日： 2000年11月30日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：

【要約】【課題】半導体レーザの端面保護膜の剥離を防止する。【解決手段】 p型InGaPエッチングストップ層5上に、p型InGaAlPリッジストライプ型光導波層6に加え、p型InGaAlPリッジストライプ6aを形成することにより、光導波部盛り上がり13の両側に光非導波部盛り上がり13aを形成する。

請求項（抜粋）：

レーザストライプ部の盛り上がりに比べて高さのより高い盛り上がりがその周辺領域に形成されていることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (3件)：

H01S 5/022 , H01S 5/22 610 , H01S 5/223

FI (3件)：

H01S 5/022 , H01S 5/22 610 , H01S 5/223

Fターム (10件)：

5F073AA21 , 5F073AA53 , 5F073AA74 , 5F073AA84 , 5F073CA14 , 5F073CB02 , 5F073DA34 , 5F073EA29 , 5F073FA11 , 5F073FA22

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