ダイヤモンド半導体の製造方法及びダイヤモンド半導体

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：酒井正己 , 加々美紀雄 , 小松純 , 小松秀岳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-121854
公開番号（公開出願番号）：特開2006-303131
出願日： 2005年04月20日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：

【課題】 Pドープのn型ダイヤモンドを{100}基板上に成長させるダイヤモンド半導体の安価な製造方法を提供する。【解決手段】ダイヤモンド基板上にガス中の窒素濃度/炭素濃度を0.1%以上5.0%以下の窒素添加条件で0.1μm以上の膜厚のダイヤモンド成長を行ったあと、続けて、燐添加条件でのダイヤモンド成長を行うことを特徴とするダイヤモンド半導体の製造方法及びそれによって得られたダイヤモンド半導体である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

ダイヤモンド基板上にガス中の窒素濃度/炭素濃度を0.1%以上5.0%以下の窒素添加条件で0.1μm以上の膜厚のダイヤモンド成長を行ったあと、続けて、燐添加条件でのダイヤモンド成長を行うことを特徴とするダイヤモンド半導体の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C30B 29/04

FI (3件)：

H01L21/205 , C30B29/04 P , C30B29/04 W

Fターム (17件)：

4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077BA03 , 4G077DB19 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077HA06 , 4G077TK04 , 4G077TK06 , 5F045AA09 , 5F045AB07 , 5F045AC08 , 5F045AC19 , 5F045AD12 , 5F045AE23 , 5F045AF02 , 5F045BB02

引用文献：

審査官引用 (1件)

The effect of nitrogen addition during high-rate homoepitaxial growth of diamond by microwave plasma

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