特許

J-GLOBAL ID：200903023192227955

高耐圧半導体装置の製造方法

発明者： 村上 進 ,  小野瀬 保夫 ,  森島 慎 ,  鶴岡 征男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-104237
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294448
出願日： 1997年04月22日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】【課題】高温バイアス印加試験や高温放置寿命試験等で半導体装置の耐圧が低下したり、リーク電流が増大する劣化が生じる。【解決手段】ベベル加工されたpn接合端面にゾル・ゲル法によるSiO2 膜6を形成し、半導体表面の絶縁膜中に正電荷を持たせ、さらにポリイミド樹脂7やシリコーンゴム8等の有機物が形成されたパッシベーション膜の構成とする。

請求項（抜粋）：

一対の主表面を有し、少なくとも一つのpn接合が側面に露出している半導体基体と前記半導体基体の側面に露出したpn接合の表面に絶縁保護膜を形成する半導体装置の製造方法において、pn接合表面にゾル・ゲル法による二酸化珪素膜を被覆する工程と、ポリイミド樹脂を形成する工程と、シリコーンゴムを形成する工程を含むことを特徴とする高耐圧半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/74 ,  H01L 29/744 ,  H01L 21/329

FI (3件)：

H01L 29/74 B ,  H01L 29/74 C ,  H01L 29/91 B