光起電力素子及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-208131
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054773
出願日： 1997年08月01日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】低コストで、光劣化がほとんど無く、高い光電変換効率も兼ね備えた光起電力素子と、実用的な堆積速度で、i型の微結晶シリコンおよび微結晶SiCを形成することが可能な光起電力素子の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の光起電力素子は、IV族元素を主成分とした非単結晶からなるp型半導体層、i型半導体層及びn型半導体層により形成されたpin接合を複数有する光起電力素子において、i型半導体層の主成分として微結晶のシリコンカーバイド(以下微結晶SiCと記す)を含む第1のpin接合とi型半導体層の主成分として微結晶のシリコン(以下微結晶Siと記す)を含む第2のpin接合とを有し、前記第1のpin接合を前記第2のpin接合より光入射側に設けたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

IV族元素を主成分とした非単結晶からなるp型半導体層、i型半導体層及びn型半導体層により形成されたpin接合を複数有する光起電力素子において、i型半導体層の主成分として微結晶のシリコンカーバイド(以下、微結晶SiCと記す)を含む第1のpin接合とi型半導体層の主成分として微結晶のシリコン(以下、微結晶Siと記す)を含む第2のpin接合とを有し、前記第1のpin接合を前記第2のpin接合より光入射側に設けたことを特徴とする光起電力素子。

引用特許：

審査官引用 (6件)

光起電力素子及び発電システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-332064 出願人：キヤノン株式会社
特開平4-167474
特開平4-296062

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