特許

J-GLOBAL ID：200903023195079019

酸化物超電導導体およびその製造方法

発明者： 須藤 泰範 ,  柿本 一臣 ,  飯島 康裕
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-156018
公開番号（公開出願番号）：特開2004-362785
出願日： 2003年05月30日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：

【課題】多結晶薄膜と酸化物超電導層との界面に反応層が形成されることを抑止した酸化物超電導導体の製造方法、およびこれによって得られた酸化物超電導導体を提供する。【解決手段】金属製の基材1上にイオンビームアシスト法により第一の多結晶薄膜2を形成する第一工程と、第一の多結晶薄膜2上にパルスレーザ蒸着法により第二の多結晶薄膜3を形成する第二工程と、第二の多結晶薄膜3上にパルスレーザ蒸着法により反応抑止膜4を形成する第三工程と、反応抑止膜4上にパルスレーザ蒸着法により酸化物超電導層5を形成する第四工程とを有する酸化物超電導導体の製造方法を提供する。反応抑止膜4をY2O3の多結晶薄膜で形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

金属製の基材上にイオンビームアシスト法により第一の多結晶薄膜を形成する第一工程と、該第一の多結晶薄膜上にパルスレーザ蒸着法により第二の多結晶薄膜を形成する第二工程と、該第二の多結晶薄膜上にパルスレーザ蒸着法により反応抑止膜を形成する第三工程と、該反応抑止膜上にパルスレーザ蒸着法により酸化物超電導層を形成する第四工程と、を有することを特徴とする酸化物超電導導体の製造方法。

IPC (6件)：

H01B13/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  C23C14/48 ,  C30B29/22 ,  H01B12/06

FI (7件)：

H01B13/00 565D ,  C23C14/08 L ,  C23C14/08 N ,  C23C14/28 ,  C23C14/48 D ,  C30B29/22 501K ,  H01B12/06

Fターム (27件)：

4G077AA03 ,  4G077AA07 ,  4G077BC51 ,  4G077DA03 ,  4G077EF01 ,  4G077EF02 ,  4G077SA04 ,  4G077SA06 ,  4K029AA02 ,  4K029AA23 ,  4K029AA24 ,  4K029AA25 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BC04 ,  4K029CA02 ,  4K029CA05 ,  4K029CA08 ,  4K029DB20 ,  4K029EA01 ,  5G321AA04 ,  5G321AA06 ,  5G321AA07 ,  5G321CA04 ,  5G321CA05 ,  5G321CA24 ,  5G321DB37