特許

J-GLOBAL ID：200903023198927657

可変容量素子

発明者： 桜井 保宏
出願人/特許権者： シチズン時計株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-069836
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267497
出願日： 2000年03月14日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】 携帯電子機器の電源の低電圧化により、可変容量素子に印加可能な電圧幅が減少し、十分な容量変化率が確保できない。【解決手段】 可変容量素子をMOS型コンデンサとし、基板電極を構成する第1導電形の高濃度拡散領域3の周囲のうち、ゲート絶縁膜5の端付近以外を被う第2導電形の拡散領域15を設けることにより、基板電極内に可変抵抗部分を形成して、容量変化率を助長する。

請求項（抜粋）：

第1導電形の低濃度拡散領域からなる第1半導体層と、前記第1半導体層の表面に設けたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けたゲート電極と、第1導電形の高濃度拡散領域からなり、前記ゲート絶縁膜に隣接するとともに、前記第1半導体層と接触する第2半導体層とを備え、前記ゲート絶縁膜と前記第2半導体層とをそれぞれ入出力端子とし、前記ゲート絶縁膜に制御電圧を印可することにより前記第1半導体層に空乏層を形成する2端子型のMOS型可変容量素子において、前記MOS型可変容量素子は、前記第1半導体層と前記第2半導体層の接触領域を制限する絶縁層を有することを特徴とする可変容量素子。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01G 7/00

FI (2件)：

H01G 7/00 Z ,  H01L 27/04 C

Fターム (8件)：

5F038AC03 ,  5F038AC07 ,  5F038AC14 ,  5F038AR16 ,  5F038AR18 ,  5F038CA10 ,  5F038EZ04 ,  5F038EZ20