特許
J-GLOBAL ID：200903023201948687
樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
穂高 哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-272689
公開番号（公開出願番号）：特開平11-106455
出願日： 1997年10月06日
公開日（公表日）： 1999年04月20日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子をリードフレーム等の基板に接着するために用いた場合に、高いピール強度を有し、かつ、チップクラックやチップ反りの発生を抑制すができ、半導体装置のリフロークラックを生じることのない樹脂ペースト組成物を提供する。【解決手段】 (A)一般式(1)で表されるビスマレイミド化合物、一般式(2)で表される反応生成物、(C)ラジカル開始剤及び(D)フィラーからなる樹脂ペースト組成物、並びに、この樹脂ペースト組成物を半導体素子と支持部材との接着に用いた半導体装置。【化1】(R1は炭素数5〜300の2価の炭化水素基、R2、R3、R4及びR5は水素原子又はアルキル基、nは0〜100の整数、R6は一般式(3)又は(4)で表される基、mは0〜10の整数、R7は2価の炭化水素基、p、qは1〜10の整数。)
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(1)で表されるビスマレイミド化合物、【化1】(式中、R1は炭素数5〜300の2価の炭化水素基を表し、R2、R3、R4及びR5は各々独立に水素原子又はアルキル基を表す。)(B)下記一般式(2)で表される反応生成物、【化2】[式中、R1は炭素数5〜300の2価の炭化水素基を表し、R2、R3、R4及びR5は各々独立に水素原子又はアルキル基を表し、R6は下記一般式(3)又は(4)【化3】(式中、mは0〜10の整数を表し、p及びqは各々独立に1〜10の整数を表し、R7は各々独立に2価の炭化水素基を表す。)で表される2価基であり、nは0〜100の整数である。](C)ラジカル開始剤(C)及び(D)フィラー(D)からなる樹脂ペースト組成物。
IPC (6件)：
C08F290/06
, C08L 79/04
, C09J179/04
, C08G 73/12
, H01L 21/52
, C08F222:40
C08F290/06
, C08L 79/04
, C09J179/04 B
, C08G 73/12
, H01L 21/52 E
