特許

J-GLOBAL ID：200903023205615852

半導体装置の製造方法並びにその方法に使用する接合樹脂及び樹脂形成装置

発明者： 笠原 ▲しん▼一 ,  小林 裕明 ,  渡邊 広道
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-268884
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122592
出願日： 1993年10月27日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【目的】 半導体素子と配線基板とを接合する接合樹脂がバンプと端子との接合面に入り込むことがない上に、バンプと端子との接続の信頼性を確保することができ、更に半導体素子と配線基板を当接面全域にわたって確実に接合することができる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 接合樹脂15を介して半導体素子12を配線基板14に接合する半導体装置の製造方法において、半導体素子12と配線基板14との間のバンプ11と端子13との接続部を除いた位置に、接合樹脂15を伸展させる円盤部16を有する接合樹脂15を配置する樹脂配置工程と、半導体素子12と配線基板14とを位置合わせする位置合わせ工程と、接合樹脂15をバンプ11周囲に伸展させることにより、バンプ11と端子13の接続部を除いた当接面上に位置する接合樹脂15が半導体素子12を配線基板14に接合する接合工程とを有する。

請求項（抜粋）：

バンプを有する矩形の半導体素子と前記バンプが接続される端子を有する配線基板との間に、加圧状態で前記半導体素子と前記配線基板との当接面上に伸展する接合樹脂を配置し、前記接合樹脂を介して前記半導体素子を前記配線基板に接合する半導体装置の製造方法において、前記半導体素子と前記配線基板との間の前記バンプと前記端子との接続部を除いた位置に、前記半導体素子の相似形状となって前記当接面の全域を覆うように前記接合樹脂を伸展させる伸展補助部を有する接合樹脂を配置する樹脂配置工程と、前記バンプと前記端子とを対応させて前記半導体素子と前記配線基板とを位置合わせする位置合わせ工程と、前記接合樹脂を加熱・加圧状態にして前記バンプと前記端子の接続後に前記バンプ周囲に伸展させることにより、前記バンプと前記端子の接続部を除いた前記当接面上に位置する前記接合樹脂が前記半導体素子を前記配線基板に接合する接合工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。