特許
J-GLOBAL ID：200903023208412340
高pHでナノポーラス誘電体フィルムを製造するための方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
社本 一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-543963
公開番号（公開出願番号）：特表2002-501674
出願日： 1998年04月03日
公開日（公表日）： 2002年01月15日
要約：
【要約】本発明はナノポーラス誘電体フィルム及びそれらの製造方法に関する。このようなフィルムは集積回路の製造において有用である。アルコキシシランの前駆体、並びに低及び高揮発性溶媒を約2〜5のpHで混合し、低揮発性塩基で約8以上のpHに上昇させて、半導体基板上に堆積させる。大気中水分に晒した後、ナノポーラス誘電体フィルムが基板上に生成する。
請求項（抜粋）：
基板上にナノポーラス誘電体コーティングを形成するための方法であって、 (a)少なくとも1種類のアルコキシシランを、比較的高い揮発性の溶媒組成物、比較的低い揮発性の溶媒組成物、及び任意成分である水と配合して、約2〜約5のpHを有する混合物を形成し、そして該アルコキシシランの部分加水分解と部分縮合を起こさせる工程; (b)工程(a)の結果物に十分な量の塩基を添加して、該混合物のpHを約8以上に上昇させる工程; (c)工程(b)から得られるpHが上昇した混合物を、該比較的高い揮発性の溶媒組成物の少なくとも一部を蒸発させながら、基板上に堆積させる工程; (d)工程(c)の結果物を水蒸気に晒す工程;及び (e)該比較的低い揮発性の溶媒組成物を蒸発させる工程を含んでなる方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, B01J 13/00
, C01B 33/158
H01L 21/316 G
, B01J 13/00 D
, C01B 33/158
