特許

J-GLOBAL ID：200903023209405640

加工方法及びその装置、及び該加工化方法を用いた半導体プロセスにおける平坦化方法

発明者： 佐藤 修三
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-314738
公開番号（公開出願番号）：特開平10-156707
出願日： 1996年11月26日
公開日（公表日）： 1998年06月16日
要約：

【要約】【課題】 湿式プロセスの問題点を解消し、乾式で加工を行う研磨手法を用いる加工方法及びその装置、及び半導体プロセスにおける平坦化方法を提供する。【解決手段】 ?@被加工物よりも軟質かつ被加工物と固相反応を生じ得る粉体をペレット1に成形し、該ペレットを研磨ベース2に付着し、粉体を砥粒として被加工物を研磨する加工方法。?A被加工物の被研磨面に当接する研磨ベースに、被加工物よりも軟質かつ被加工物と固相反応を生じ得る粉体の成形ペレットを付着し、粉体を砥粒として被加工物の被研磨面を研磨する加工装置。?B半導体プロセスにおいて被平坦化面を研磨して平坦化する方法で、被平坦化面の材料よりも軟質かつ被平坦化面の材料と固相反応を生じ得る粉体をペレットとし、該ペレットを研磨ベースに付着せしめて、粉体を砥粒として被平坦化面の研磨を行って平坦化する半導体プロセスにおける平坦化方法。

請求項（抜粋）：

被加工物よりも軟質でかつ被加工物と固相反応を生じ得る粉体をペレットに成形し、該ペレットを研磨ベースに付着せしめて、上記粉体を砥粒として被加工物の研磨を行うことを特徴とする加工方法。

IPC (2件)：

B24B 37/00 ,  H01L 21/304 321

FI (2件)：

B24B 37/00 F ,  H01L 21/304 321 M