特許
J-GLOBAL ID:200903023209453008
荷電粒子ビ-ム装置およびこれを用いた半導体集積回路
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
磯村 雅俊 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-009583
公開番号(公開出願番号):特開2000-208405
出願日: 1999年01月18日
公開日(公表日): 2000年07月28日
要約:
【要約】【課題】荷電粒子ビーム通路を構成する構造物に付着するコンタミネーションの帯電による荷電粒子ビーム位置変動を少なくする。【解決手段】電子ビーム描画装置の第1の絞り3、偏向器4、第2の絞り6、対物絞り8、偏向器9、電子検出器13を光触媒作用をもつ物質で構成し、光源14Aから光源14Eを取り付ける。これらの光源14A〜14Eで光触媒作用をもつ物質を照射することにより光触媒反応を起こさせ、これらに付着したコンタミネーションが除去される。その他に、螢光体物質に荷電粒子ビームを照射することにより、螢光物質から特定の波長の光を発生させ、その光を光触媒作用をもつ物体に照射させてそこに付着していたコンタミネーションを分解させる方法も可能である。
請求項(抜粋):
荷電粒子ビームが通過する通路に面し、かつ光触媒作用をもつ物質で構成されるか、あるいは光触媒作用をもつ物質で表面をコーティングされた1つ以上の構造物と、前記構造物の近傍に配置され、該構造物に光を照射するための光源とを具備し、前記光源からの光を前記物造物に照射することにより、光触媒作用をもつ物質を反応させ、該構造物に付着している汚染物質を分解することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
IPC (5件):
H01L 21/027
, B01J 21/06
, B01J 35/02
, H01J 37/16
, H01J 37/305
FI (5件):
H01L 21/30 541 Z
, B01J 21/06 M
, B01J 35/02 J
, H01J 37/16
, H01J 37/305 B
Fターム (33件):
4G069AA04
, 4G069AA08
, 4G069BA04A
, 4G069BA04B
, 4G069BB04A
, 4G069BB04B
, 4G069BB09A
, 4G069BC17A
, 4G069BC18A
, 4G069BC27A
, 4G069BC35A
, 4G069BC36A
, 4G069BC50A
, 4G069BC50B
, 4G069BC51A
, 4G069BC55A
, 4G069BC56A
, 4G069BC59A
, 4G069BC60A
, 4G069BC66A
, 4G069BD08A
, 4G069BD09A
, 4G069CA01
, 4G069CA07
, 4G069CA10
, 4G069CA11
, 5C034BB04
, 5C034BB06
, 5F056BA08
, 5F056BB01
, 5F056CB11
, 5F056CC04
, 5F056EA06
引用特許:
審査官引用 (1件)
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鍵かけ忘れ防止装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-259158
出願人:山内裕之
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