カーボンナノチューブの形成方法、及びそれを利用した半導体素子の配線形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：八田幹雄 , 奈良泰男 , 宇谷勝幸 , 藤田健 , 都祭正則 , 長谷川俊弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-341961
公開番号（公開出願番号）：特開2007-180546
出願日： 2006年12月19日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：

【課題】カーボンナノチューブの形成方法及びそれを利用した半導体素子の配線形成方法を提供する。【解決手段】(i)複数の突起部を有する基板を準備する段階と、(ii)前記基板上に、前記突起部を覆い、カーボンナノチューブの成長を促進させる触媒層を形成する段階と、(iii)前記触媒層上にカーボンが含まれるガスを注入して、前記触媒層の表面上に前記カーボンナノチューブを成長させる段階と、を含むカーボンナノチューブの形成方法である。本発明によれば、カーボンナノチューブの成長密度を上昇させて電気的抵抗を低下させうる。その結果、電流密度が上昇し、微細ビアホールにも適用可能で、半導体素子の超高集積化を達成しうる配線形成方法が提供される。【選択図】図5E

請求項（抜粋）：

(i)複数の突起部を有する基板を準備する段階と、 (ii)前記基板上に、前記突起部を覆い、カーボンナノチューブの成長を促進させる触媒層を形成する段階と、 (iii)前記触媒層上にカーボンが含まれるガスを注入して、前記触媒層の表面上に前記カーボンナノチューブを成長させる段階と、を含むカーボンナノチューブの形成方法。

IPC (9件)：

H01L 21/285 , H01L 21/28 , H01L 23/522 , H01L 21/768 , C23C 14/14 , C01B 31/02 , B01J 37/08 , B01J 37/02 , B01J 23/755

FI (8件)：

H01L21/285 C , H01L21/28 301Z , H01L21/90 D , C23C14/14 D , C01B31/02 101F , B01J37/08 , B01J37/02 301P , B01J23/74 321M

Fターム (85件)：

4G146AA11 , 4G146AB07 , 4G146AD30 , 4G146BA08 , 4G146BA09 , 4G146BA12 , 4G146BB22 , 4G146BC09 , 4G146BC22 , 4G146BC23 , 4G146BC24 , 4G146BC25 , 4G146BC26 , 4G146BC32A , 4G146BC33A , 4G146BC42 , 4G146BC43 , 4G146BC44 , 4G146DA03 , 4G146DA16 , 4G169AA03 , 4G169AA08 , 4G169BB02A , 4G169BB04A , 4G169BC33A , 4G169BC40A , 4G169BC59A , 4G169BC60A , 4G169BC65A , 4G169BC72A , 4G169BC75A , 4G169CB81 , 4G169DA06 , 4G169EB03 , 4G169EC28 , 4G169EE01 , 4G169EE06 , 4G169EE07 , 4G169FA03 , 4G169FA08 , 4G169FB02 , 4G169FB29 , 4K029AA06 , 4K029AA09 , 4K029AA29 , 4K029BA02 , 4K029BA05 , 4K029BA06 , 4K029BA09 , 4K029BA11 , 4K029BA12 , 4K029BA13 , 4K029BA21 , 4K029BD00 , 4K029CA01 , 4K029CA05 , 4K029DC39 , 4K029GA01 , 4M104AA01 , 4M104AA10 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB09 , 4M104BB36 , 4M104DD22 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD45 , 4M104DD51 , 4M104HH14 , 4M104HH16 , 5F033GG04 , 5F033JJ00 , 5F033KK01 , 5F033NN01 , 5F033PP02 , 5F033PP03 , 5F033PP06 , 5F033PP12 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033QQ52 , 5F033QQ72 , 5F033WW03 , 5F033XX08

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