特許

J-GLOBAL ID：200903023226982219

半導体製造装置及び方法

発明者： 今村 友美 ,  片伯部 一郎 ,  宮下 直人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-287207
公開番号（公開出願番号）：特開平9-131660
出願日： 1995年11月06日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【課題】研磨状況に応じて研磨時間等を制御して、安定した研磨レートで高精度且つ高効率でポリッシングを行う。【解決手段】この半導体製造装置は、研磨布11の中央上部に所定の研磨剤を供給する研磨材供給部3と、上記研磨剤の廃液の温度及びpHを測定する温度センサ10,pHセンサ9と、上記研磨布上の研磨剤のpHを測定するpHセンサ4と、上記温度センサ10及びpHセンサ9で得られた値とpHセンサ4で測定されたpHから、第2のpH測定点のイオン積を算出し、研磨温度を検出する制御部1と、上記研磨温度に基づいて上記研磨材の供給量又は温度を制御する制御部2とで構成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板及び絶縁基板を研磨材を用いて研磨する半導体製造装置において、上記研磨に用いられた研磨材のpHを測定するpH測定手段と、上記pH測定手段により測定されたpHに基づいて研磨中のウェーハ表面の温度を決定する温度決定手段と、を具備することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

B24B 37/00 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304

FI (3件)：

B24B 37/00 F ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 E