特許

J-GLOBAL ID：200903023228487410

積層セラミックコンデンサ及びその製造方法

発明者： 内藤 正浩 ,  吉川 順子 ,  藤井 昭宏 ,  来間 一郎
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-418649
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183491
出願日： 2003年12月16日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：

【課題】 電気的特性を劣化させることなく、焼成後の誘電体セラミック層と内部電極との接合強度を向上させることで、水分の侵入を抑制し、直流及び交流耐湿負荷試験における絶縁抵抗不良の発生を解消した、積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】 NiまたはNi合金を内部電極とする積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体セラミック層がCaZrO3系固溶体である主成分と、少なくともSiO2とMO(但し、MはNiおよび/またはMn元素である。)を含有する副成分を含有する誘電体セラミック組成物からなり、前記内部電極の酸化度(S)を、酸化度(S)=((強還元処理後の飽和磁化-焼成後の飽和磁化)/強還元処理後の飽和磁化)×100(%)で表わしたとき、3<S<30の範囲内にある。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

積層された複数の誘電体セラミック層と、 該誘電体セラミック層間に形成されたNiまたはNi合金からなる内部電極と、 該内部電極に電気的に接続された外部電極と、 を備える積層セラミックコンデンサにおいて、 前記誘電体セラミック層は、CaZrO3系固溶体である主成分と、少なくともSiO2とMO(但し、MはNiおよび/またはMn元素である。)を含有する副成分を含有する誘電体セラミック組成物からなり、 前記内部電極の酸化度(S)を、 酸化度(S)=((強還元処理後の飽和磁化-焼成後の飽和磁化)/強還元処理後の飽和磁化)×100(%) で表わしたとき、前記内部電極の酸化度(S)が、3<S<30の範囲内にあることを特徴とする、積層セラミックコンデンサ。

IPC (1件)：

H01G4/12

FI (2件)：

H01G4/12 361 ,  H01G4/12 358

Fターム (7件)：

5E001AB03 ,  5E001AC09 ,  5E001AE00 ,  5E001AE04 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 積層セラミック電子部品の焼成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-270769   出願人：株式会社村田製作所
• 積層セラミックコンデンサの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-141613   出願人：松下電器産業株式会社
• 内部電極形成用Ni導電性ペースト及びそれを用いた積層チップコンデンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-243451   出願人：ティーディーケイ株式会社