特許
J-GLOBAL ID：200903023229429219
半導体光導波路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤本 博光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-109982
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099370
出願日： 1994年05月24日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：
【要約】【目的】 短波長光を高効率に閉じ込めることのできるII-VI族化合物半導体光導波路を提供する。【構成】 II族元素ならびにVI族元素で形成されたII-VI族化合物半導体で構成されたII-VI族化合物半導体光導波路であって、導波層とこれを両面から挟むクラッド層を形成し、且つ導波層の屈折率をクラッド層より大きくし、またクラッド層の少なくとも一方の構成元素としてカドミウムを含ましめる。その際、さらに、前記導波層を挟む2つのクラッド層の屈折率を互いに異ならしめ、その場合、前記導波層が隣接する少なくとも2層からなり、且つそれらの界面で屈折率が階段状に変化するか、またはクラッド層に隣接する少なくとも1層の導波層の屈折率が傾斜状に変化するか、もしくは前記クラッド層と導波層との間に超格子層が形成されるか、のいずれかを付加する構成とすることもできる。または前記構成において、2つ以上の導波層と該導波層の各々を両面から挟むようクラッド層を形成しても良い。
請求項（抜粋）：
II族元素ならびにVI族元素で形成されたII-VI族化合物半導体を用いて、導波層と該導波層を両面から挟むクラッド層を形成し、該導波層の屈折率を前記クラッド層の屈折率よりも大きくしたII-VI族化合物半導体光導波路において、導波層を挟む2つのクラッド層の屈折率が互いに異なるとともに、前記クラッド層の少なくとも一方の構成元素にカドミウムが含まれていることを特徴とする半導体光導波路。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, G02B 6/12
, H01L 33/00
