特許

J-GLOBAL ID：200903023230458230

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 渡辺 裕之 ,  水原 秀樹 ,  実沢 佳居 ,  平瀬 征基 ,  青江 弘行
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-227294
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069562
出願日： 1995年08月10日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：

【要約】【課題】有機SOG膜に含まれる有機成分を分解させると共に、膜中に含まれる水分および水酸基を減少させる。【解決手段】単結晶シリコン基板1の上にゲート絶縁膜2,ゲート電極3,ソース・ドレイン領域4が形成される。次に、プラズマCVD法を用いて、デバイスの全面にシリコン酸化膜5が形成される。続いて、シリコン酸化膜5の上に有機SOG膜6が形成される。そして、イオン注入法を用いて、フッ化シリコンイオン、フッ化ボロンイオン、アルゴンイオン、ボロンイオン、窒素イオンからなるグループから選択された一つのイオンを有機SOG膜6にドープすることで、有機成分を分解させると共に、膜中に含まれる水分および水酸基を減少させる。その結果、有機SOG膜6は改質されたSOG膜7に変えられる。

請求項（抜粋）：

SOG膜にイオン注入を行う工程を備えた半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/312

FI (5件)：

H01L 21/90 S ,  H01L 21/312 Z ,  H01L 21/312 N ,  H01L 21/265 W ,  H01L 21/265 Q

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-199456
  
• 特開平2-026055
  
• 特開平4-234149