特許
J-GLOBAL ID：200903023236563893
窒化物半導体発光素子とその発光装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-366970
公開番号（公開出願番号）：特開2002-170988
出願日： 2000年12月01日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：
【要約】【課題】 結晶系分離を低減させ、良好な結晶性と高い発光効率とを有する窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 基板上に成長され、Alを含有するGaN<SB>1-x-y-z</SB>As<SB>x</SB>P<SB>y</SB>Sb<SB>z</SB>(0<x+y+z≦0.3)単一井戸層を含む、窒化物半導体発光素子。
請求項（抜粋）：
基板上に成長され、Alを含有するGaN<SB>1-x-y-z</SB>As<SB>x</SB>P<SB>y</SB>Sb<SB>z</SB>(0<x+y+z≦0.3)単一井戸層を含む、窒化物半導体発光素子。
Fターム (14件)：
5F041AA40
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA53
, 5F041CA54
, 5F041CA56
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA82
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041FF11
