特許

J-GLOBAL ID：200903023237755052

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者： 中西 敏雄 ,  西田 辰夫 ,  尾▲崎▼ 成則
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (3件)： 金本 哲男 ,  亀谷 美明 ,  萩原 康司
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2003014797
公開番号（公開出願番号）：WO2004-047157
出願日： 2003年11月20日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：

本発明によれば,シリコン基板表面を窒化処理するにあたり,プラズマ発生部とシリコン基板との間に,開口部を有する仕切り板が配置され,シリコン基板表面における電子密度が,1e+7(個・cm-3)〜1e+9(個・cm3)となるように制御される。本発明によれば,シリコン基板及び窒化膜の劣化が効果的に抑制される。

請求項（抜粋）：

処理容器内に配置されたシリコン基板に対して,プラズマを用いて窒化処理を行うプラズマ処理装置であって, プラズマ発生部と前記シリコン基板との間に,開口部を有する仕切り板が配置されている。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/318

FI (2件)：

H01L21/31 A ,  H01L21/318 A

Fターム (18件)：

5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045BB12 ,  5F045EF05 ,  5F045EH03 ,  5F045EH18 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BG02 ,  5F058BJ01