特許

J-GLOBAL ID：200903023240221158

窒化物半導体素子およびその製造方法

発明者： 倉本 大 ,  山口 敦史
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 机 昌彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-327240
公開番号（公開出願番号）：特開2003-163420
出願日： 2000年09月01日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：

【要約】【課題】 窒化物半導体発光素子において、発光効率を良好に維持しつつ高温動作時における素子寿命を改善する。【解決手段】 窒化ガリウム系材料からなる下地層の上にクラッド層を形成した後、その上部にIn<SB>x</SB>Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-x-y</SB>N(0<x<1、0≦y≦0.2)発光層を含む活性層4を、アンモニアガスの分圧を110hPaとした有機金属気相成長法により成膜する。これにより発光層におけるIn組成やバンドギャップの微視的ゆらぎを低減した窒化物半導体発光素子を作成する。また下地層は、GaN基板、AlGaN基板を用いても良く、下地層の下にサファイア基板を備えていても良い。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム系材料からなる下地層と、クラッド層と、In<SB></SB><SB>x</SB>Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-x-y</SB>N(0<x<1、0≦y≦0.2)発光層を含む活性層と、ノンドープSCH層がこの順で積層された構造を有し、前記発光層におけるIn組成の微視的揺らぎの標準偏差Δxが0.067以下であることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2件)：

H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205

Fターム (18件)：

5F045AA04 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA52 ,  5F073AA04 ,  5F073AA11 ,  5F073AA45 ,  5F073AA47 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA28