特許

J-GLOBAL ID：200903023244769310

強誘電体薄膜素子の製造方法及び半導体装置

発明者： 横山 誠一 ,  松永 宏典
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-074765
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270646
出願日： 1997年03月27日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、強誘電体特性、リーク電流特性を有する強誘電体薄膜素子の製造方法及び半導体装置を提供することを目的としている。【解決手段】 前駆体原料溶液を塗布乾燥して前記強誘電体薄膜となる薄膜を成膜する成膜工程S10と、その成膜工程により成膜した薄膜を加熱温度400°C以上600°C以下の温度で加熱する第一の熱処理工程S13と、その第一の熱処理工程の後に昇温速度20°C/秒以上で昇温してから一定温度で3分以内の時間保持する第二の熱処理工程S14と、成膜工程S13、第一の熱処理工程S13、及び第二の熱処理工程S14を所望の強誘電体薄膜の膜厚が得られるように繰り返してからその強誘電体薄膜上に上部電極層を形成した後(S15)、さらに昇温速度20°C/秒以上で昇温してから一定加熱温度で3分以内の時間保持する第三の熱処理工程S16とを含む強誘電体薄膜素子の製造方法とする。

請求項（抜粋）：

基板上に配置された下部電極層上に、層状ペロブスカイト構造を有する強誘電体薄膜と上部電極層とを順次形成する強誘電体薄膜素子の製造方法において、前駆体原料溶液を塗布乾燥して前記強誘電体薄膜となる薄膜を成膜する成膜工程と、該成膜工程により成膜した薄膜を加熱温度400°C以上600°C以下の温度で加熱する第一の熱処理工程と、該第一の熱処理工程の後に昇温速度20°C/秒以上で昇温してから一定温度で3分以内の時間保持する第二の熱処理工程と、前記成膜工程、前記第一の熱処理工程、及び前記第二の熱処理工程を所望の前記強誘電体薄膜の膜厚が得られるように繰り返してから該強誘電体薄膜上に上部電極層を形成した後、さらに昇温速度20°C/秒以上で昇温してから一定加熱温度で3分以内の時間保持する第三の熱処理工程とを含むことを特徴とする強誘電体薄膜素子の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  C01G 35/00 ,  H01B 3/12 318 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 27/04 C ,  C01G 35/00 C ,  H01B 3/12 318 G ,  H01L 27/10 651