特許

J-GLOBAL ID：200903023244801957

軟磁性合金めっき薄膜の製造方法、軟磁性合金めっき薄膜、並びに、薄膜磁気ヘッド

発明者： 鈴木 功一 ,  的野 直人 ,  宮崎 富仁
出願人/特許権者： リードライト・エスエムアイ株式会社
代理人 (1件)： 藤田 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-008452
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208355
出願日： 1999年01月14日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 飽和磁束密度が高く、軟磁気特性に優れ、かつ高比抵抗を有する、書き込み及び読み取り特性に優れた軟磁性合金めっき薄膜を得る。【解決手段】 Co,Ni及びFeの各2価イオンを含有する塩によってCo,Ni及びFeの各2価イオンをめっき液中に供給するとともに、このめっき液中に、モリブデン酸イオン、タングステン酸イオン、バナジン酸イオン及びクロム(III)イオンのうち少なくとも1種を添加し、この添加イオンのイオン濃度が1×10-5mol/l以上2×10-4mol/l以下であるめっき液中で電気めっきを行うことにより軟磁性合金めっき薄膜を成膜する。

請求項（抜粋）：

Co,Ni及びFeの各2価イオンを含有する塩によってCo,Ni及びFeの各2価イオンをめっき液中に供給するとともに、このめっき液中に、モリブデン酸イオン、タングステン酸イオン、バナジン酸イオン及びクロム(III)イオンのうち少なくとも1種を添加し、この添加イオンのイオン濃度が1×10-5mol/l以上2×10-4mol/l以下であるめっき液中で電気めっきを行うことにより軟磁性合金めっき薄膜を成膜することを特徴とする軟磁性合金めっき薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01F 41/24 ,  G11B 5/127 ,  G11B 5/31

FI (3件)：

H01F 41/24 ,  G11B 5/127 D ,  G11B 5/31 C

Fターム (14件)：

5D033BA03 ,  5D033CA01 ,  5D033DA04 ,  5D093BD01 ,  5D093BD08 ,  5D093FA12 ,  5D093HA13 ,  5D093JA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA09 ,  5E049BA12 ,  5E049EB01 ,  5E049LC02 ,  5E049LC06