窒化物半導体素子及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：萩原誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-062895
公開番号（公開出願番号）：特開2005-260230
出願日： 2005年03月07日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：

【課題】光効率が優れた窒化物半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明による窒化物半導体素子は、基板と、前記基板上に成長された棒状の多数の半導体ナノバーと、前記半導体ナノバーの間と前記半導体ナノバーの上部とに蒸着されて分布され、紫外線、可視光線又は赤外線領域の光を放出する窒化物半導体薄膜と、を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に成長された棒状の多数の半導体ナノバーと、前記半導体ナノバーの間と前記半導体ナノバーの上部とに蒸着分布され、紫外線、可視光線又は赤外線領域の光を放出する窒化物半導体薄膜と、を含むことを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (3件)：

H01L21/205 , C23C16/34 , C23C16/40

FI (3件)：

H01L21/205 , C23C16/34 , C23C16/40

Fターム (30件)：

4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030BA08 , 4K030BA37 , 4K030BA38 , 4K030BA47 , 4K030BB14 , 4K030CA04 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030LA14 , 5F045AA03 , 5F045AA04 , 5F045AA18 , 5F045AA19 , 5F045AB14 , 5F045AB22 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AE11 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AE27

引用特許：

審査官引用 (2件)

III族窒化物膜の製造方法、エピタキシャル成長用基板、III族窒化物膜、III族窒化物素子用エピタキシャル基板、及びIII族窒化物素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-257864 出願人：日本碍子株式会社
GaN系半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-058733 出願人：三菱電線工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (3件)

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