特許
J-GLOBAL ID：200903023246891791
チップ型電子部品の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-125355
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321455
出願日： 1997年05月15日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 各種チップ型電子部品の端子電極構造を共通化し、低コストで電気的特性に優れたチップ型電子部品の製造方法を実現するとともに、端子電極の外観形状の安定性及びPbフリー化による環境保護を実現した各種チップ型電子部品を提供することにある。【解決手段】 コンデンサ素子16の両端部14,15に、ガラスフリット、有機ビヒクル、金属粉を混練してなる電極ペーストを塗布し、600〜900°Cの温度で焼成して電極を形成して下地電極層17を形成し、前記下地電極層17上にBi塩とSnあるいはSn-Ag合金、Sn-Cu合金、Sn-Zn合金、Sn-In合金、Sn-Ag-Cu合金、Sn-Ag-In合金、Sn-Zn-Cu合金、Sn-Zn-In合金から選ばれる少なくとも1つの合金粉からなるペーストを塗布した後に、200°C以上の温度でBi塩と金属の反応を行うことにより、厚さ0.01μm以上のSn-Bi系の合金層を形成して端子電極を形成する。
請求項（抜粋）：
電子部品素子の両端に、ガラスフリット、有機ビヒクル、金属粉を混練してなる電極ペーストを塗布し、600〜900°Cの温度で焼成して電極を形成した後、前記電極層上にBi塩とSnあるいはSn合金からなるペーストを塗布した後に、200°C以上の温度でBi塩と金属の反応を行わせることにより、厚さ0.01μm以上のSn-Bi系合金層を形成して端子電極を形成するチップ型電子部品の製造方法。
IPC (5件)：
H01G 4/008
, H01C 7/00
, H01C 17/06
, H01G 4/232
, H01G 4/30 311
H01G 1/01
, H01C 7/00 B
, H01C 17/06 B
, H01G 4/30 311 D
, H01G 1/147 A
