特許

J-GLOBAL ID：200903023251777700

レジストパターン形成方法およびその装置

発明者： 鈴木 堅吉 ,  松田 正昭 ,  荻野 利男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-312723
公開番号（公開出願番号）：特開平9-152567
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】エキシマレーザーのアブレーション現象を用い、かつ小面積の露光マスクで大形の液晶表示素子基板を製造するためのレジストパターンの形成方法とその装置を提供する。【解決手段】液晶表示素子を構成する基板の薄膜パターン形成領域の面積より小面積で所定の開口パターン7a,7b,7b’,7c,7c’を有する露光マスク7を当該薄膜パターン形成領域に平行なX-Y面内で相対移動させると共に、露光マスクに対して相対移動方向と直交する方向にスリット状としたエキシマレーザー光12a,12b,12cを照射することによるアブレーション現象により、基板上に塗布したレジストを前記露光マスクの開口パターンに従ってパターニングする。

請求項（抜粋）：

液晶表示素子を構成する絶縁基板上に所要の薄膜パターンを形成するためのレジストパターン形成方法において、前記液晶表示素子の薄膜パターン形成領域の面積より小面積で所定の開口パターンを有する露光マスクを当該薄膜パターン形成領域に平行な面内で相対移動させると共に、前記露光マスクに対して前記相対移動方向と直交する方向にスリット状としたエキシマレーザー光を照射することによるアブレーション現象により、前記基板上に塗布したレジストを前記露光マスクの開口パターンに従ってパターニングすることを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (4件)：

G02F 1/13 101 ,  G02F 1/1333 500 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 502

FI (4件)：

G02F 1/13 101 ,  G02F 1/1333 500 ,  G03F 1/08 A ,  G03F 7/20 502