特許

J-GLOBAL ID：200903023255953376

酸化亜鉛膜の形成方法及び該酸化亜鉛膜を使用した半導体素子

発明者： 狩谷 俊光
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 荻上 豊規
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-041523
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243991
出願日： 1999年02月19日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【目的】 光起電力素子等の半導体素子の透明導電膜或いは透明導電層として好適に使用できる良質の酸化亜鉛膜を溶液からの析出法により効率的に形成する方法を提供する。【構成】 導電性基板を水溶液に浸漬して該導電性基板上に酸化亜鉛膜を形成する方法であって、前記水溶液として濃度が0.01mol/リットル乃至0.5mol/リットルの範囲であり水素イオン濃度(pH)が5.0〜6.5である酢酸亜鉛水溶液を使用し、前記酢酸亜鉛水溶液の温度を80°C以上にし、前記導電性基板は前記酢酸亜鉛水溶液以外とは電気的に非接触にして成膜することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

導電性基板を水溶液に浸漬して該導電性基板上に酸化亜鉛膜を形成する方法であって、前記水溶液として濃度が0.01mol/リットル乃至0.5mol/リットルの範囲であり水素イオン濃度(pH)が5.0〜6.5である酢酸亜鉛水溶液を使用し、前記酢酸亜鉛水溶液の温度を80°C以上にし、前記導電性基板は前記酢酸亜鉛水溶液以外とは電気的に非接触にして成膜することを特徴とする酸化亜鉛膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 31/04 ,  C01G 9/02 ,  H01L 21/368 ,  C25D 11/34 303

FI (4件)：

H01L 31/04 M ,  C01G 9/02 A ,  H01L 21/368 Z ,  C25D 11/34 303

Fターム (30件)：

4G047AA04 ,  4G047AB02 ,  4G047AC03 ,  4G047AD02 ,  5F051AA05 ,  5F051AA09 ,  5F051AA10 ,  5F051BA14 ,  5F051CB27 ,  5F051DA03 ,  5F051DA04 ,  5F051DA17 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051FA23 ,  5F051GA02 ,  5F053AA50 ,  5F053BB02 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053GG02 ,  5F053GG03 ,  5F053HH02 ,  5F053HH04 ,  5F053JJ03 ,  5F053LL04 ,  5F053LL05 ,  5F053RR12 ,  5F053RR13 ,  5F053RR20