特許
J-GLOBAL ID：200903023258692301
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-132818
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326356
出願日： 1993年05月10日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】 発光パターンに悪影響を与えることなく、また、活性層上下の層の組成に悪影響を与えることもなく、発光端面における光損傷を防止することのできる半導体発光素子を提供する。【構成】 基板11上に超格子層15を含む活性層を形成し、発光端面およびその近傍に非電流注入部18を設けた半導体発光素子において、前記超格子層15を、非電流注入構造部18において他の部分よりも薄くする。
請求項（抜粋）：
基板上に超格子層を含む活性層を形成し、発光端面およびその近傍に非電流注入構造を設けた半導体発光素子において、前記非電流注入構造部分の活性層を構成する超格子層は、他の部分の超格子層よりも薄いことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
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