特許
J-GLOBAL ID：200903023259007939

熱電半導体材料、熱電素子、これらの製造方法および熱電半導体材料の製造装置

発明者：
金武 直幸

金武 直幸 について

, 
佐藤 泰徳

佐藤 泰徳 について

, 
福田 克史

福田 克史 について


出願人/特許権者：
株式会社小松製作所

株式会社小松製作所 について


代理人 (1件)： 木村 高久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-226533
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138399
出願日： 1998年07月27日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：
【要約】【課題】十分な強度と性能を具備し、製造歩留りの高い熱電半導体材料を提供する。【解決手段】図3(a)に示すように圧縮力とこの圧縮方向に対して垂直方向にせん断力が独立に作用することにより、圧縮方向に対して垂直方向に結晶(六方晶構造)の基底面であるC面が強く配向するとともに、結晶粒径が微細に平均化され緻密化する。さらに配向が改善された結晶粒粉末を加熱することにより焼結される。こうして圧縮方向に対して垂直方向に劈開面が揃うように結晶配向が改善されて、圧縮力を加えた方向に対して垂直な方向の熱電性能が向上する(図3(b))。
請求項（抜粋）：
所望の組成をもつ熱電半導体材料の原料に対して圧縮力とせん断力を独立して加えることにより、組織を構成する結晶粒を性能指数に優れた結晶方位に配向させるとともに、加熱することにより、焼結体を形成する焼結工程を含むことを特徴とする熱電半導体材料の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 35/34 ,  C04B 35/645 ,  H01L 35/16 ,  B22F 3/10
FI (4件)：
H01L 35/34 ,  H01L 35/16 ,  C04B 35/64 N ,  B22F 3/10 D
Fターム (6件)：
4K018AD20 ,  4K018BA20 ,  4K018BC08 ,  4K018CA01 ,  4K018EA60 ,  4K018KA32
引用特許：
審査官引用 (7件)
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