光デバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：光石俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-340519
公開番号（公開出願番号）：特開平9-179080
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】低エネルギーで動作する高性能な光デバイス(光強度変調器、光位相変調器、光スイッチ又はモードロックレーザ等)を提供することを課題とする。【解決手段】 III -V族化合物半導体の(311)面基板31上に、該基板よりバンドギャップが小さく、かつ異なる格子定数を有するIII -V族化合物半導体をエピタキシャル成長させることにより形成した円盤状の半導体と、これを包み込むエネルギーバンドギャップが大きくかつ格子定数が円盤状半導体と異なるクラッド層で構成された、微細島構造33を動作層にし、この微細島構造に電子あるいは正孔のいずれか一方、あるいは両方のキャリアを注入して動作させてなる。

請求項（抜粋）：

III -V族化合物半導体の(n11)面(n=2,3,4,5,6,7)基板上に、該基板よりバンドギャップが小さく、かつ異なる格子定数を有するIII -V族化合物半導体をエピタキシャル成長させることにより形成した円盤状の半導体と、これを包み込むエネルギーバンドギャップが大きくかつ格子定数が円盤状半導体と異なるクラッド層で構成された、微細島構造を動作層にし、この微細島構造に電子あるいは正孔のいずれか一方、あるいは両方のキャリアを注入して動作させてなることを特徴とする光デバイス。

IPC (3件)：

G02F 1/025 , H01S 3/098 , H01S 3/18

FI (3件)：

G02F 1/025 , H01S 3/098 , H01S 3/18

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