特許

J-GLOBAL ID：200903023268299365

p型半導体結晶の製造方法および発光デバイス

発明者： 齊藤 肇 ,  川崎 雅司
出願人/特許権者： シャープ株式会社 ,  川崎 雅司
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-088034
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289918
出願日： 2001年03月26日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】 ワイドギャップ半導体において高い活性化率を有するp型半導体結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体結晶にドナー・アクセプタ同時ドーピングを行ってp型半導体結晶を製造する方法において、上記p型半導体結晶の製造過程において、上記半導体結晶(たとえば、ZnO)にドナー不純物(たとえば、Ga)を断続的に供給する。

請求項（抜粋）：

半導体結晶にドナー・アクセプタ同時ドーピングを行ってp型半導体結晶を製造する方法において、上記p型半導体結晶の製造過程において、上記半導体結晶にドナー不純物を断続的に供給することを特徴とするp型半導体結晶の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  C30B 29/16 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 33/00 D ,  C30B 29/16 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205

Fターム (38件)：

4G077AA03 ,  4G077BB07 ,  4G077DA03 ,  4G077DA05 ,  4G077EB01 ,  4G077EB02 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041CA41 ,  5F041CA43 ,  5F041CA66 ,  5F041CA67 ,  5F045AA05 ,  5F045AB22 ,  5F045AC19 ,  5F045AF09 ,  5F045BB04 ,  5F045BB05 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045DA58 ,  5F103AA04 ,  5F103BB08 ,  5F103BB23 ,  5F103BB42 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103HH08 ,  5F103JJ01 ,  5F103JJ03 ,  5F103KK10 ,  5F103LL02 ,  5F103RR05 ,  5F103RR10