特許
J-GLOBAL ID:200903023270882345

表面処理装置及びそれを用いた低表面エネルギー皮膜

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-200361
公開番号(公開出願番号):特開平11-043762
出願日: 1997年07月25日
公開日(公表日): 1999年02月16日
要約:
【要約】【課題】湿式法の問題点である環境性、安全性の欠点を解消する乾式法による表面処理において、より優れた表面特性の低表面エネルギー皮膜とそれを形成するための表面処理装置の提供にある。【解決手段】真空排気ポンプ9等が接続された真空槽1、低表面エネルギー物質4を気化する手段と、気化された該低表面エネルギー物質4を真空槽1に導入する導入手段と、更に前記真空槽1内をプラズマ雰囲気とする放電電極10等プラズマ発生手段を付加してなるもので、前記低表面エネルギー物質4を気化する手段が150°C〜450°Cの範囲で加熱可能なヒータ6を備えた容器2からなる表面処理装置20を用いて、蒸発温度が150°C〜450°Cの低表面エネルギー物質を加熱、気化せしめ、該気化された低表面エネルギー物質を被処理基材8の表面に接触せしめてなる低表面エネルギー被膜としたものである。
請求項(抜粋):
真空排気装置が接続された減圧処理室と、低表面エネルギー物質を気化する手段と、気化された該低表面エネルギー物質を減圧処理室内に導入する導入手段とを備えてなることを特徴とする表面処理装置。
IPC (4件):
C23C 14/12 ,  C23C 16/50 ,  C08J 7/00 306 ,  C08J 7/04
FI (4件):
C23C 14/12 ,  C23C 16/50 ,  C08J 7/00 306 ,  C08J 7/04 A

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